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1200℃滑動(dòng)式單溫區(qū)/雙溫區(qū)/三溫區(qū)CVD系統(tǒng)

更新時(shí)間: 2024-10-28

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產(chǎn)品報(bào)價(jià):

產(chǎn)品簡介: 產(chǎn)品用途:此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)真空淬火退火,快速降溫等工藝實(shí)驗(yàn)。

詳細(xì)資料:

1200℃滑動(dòng)式單溫區(qū)/雙溫區(qū)/三溫區(qū)CVD系統(tǒng)產(chǎn)品用途:

此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控

生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)真空淬火退火,快速降溫等工藝實(shí)驗(yàn)。

 

產(chǎn)品組成:

CVD系統(tǒng)配置:

1、1200度開啟式真空管式爐(可選配多溫區(qū))。

2、滑動(dòng)系統(tǒng)分為手動(dòng)、電動(dòng)滑動(dòng),并配有風(fēng)冷系統(tǒng)。

3、多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4、真空系統(tǒng)(可選配中真空或高真空)

 

1200℃滑動(dòng)式單溫區(qū)/雙溫區(qū)/三溫區(qū)CVD系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn):

1、控制電路選用模糊PID程控技術(shù),該技術(shù)控溫精度高,熱慣性小,溫度不過沖,性能可靠,操作簡單。

2、中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動(dòng)控制功能,高真空系統(tǒng)采用高壓強(qiáng),耐沖擊分子泵,防止意外漏氣造成分子泵損壞,延長系統(tǒng)使用壽命。

3、(電動(dòng))滑動(dòng)系統(tǒng)采用溫度控制器自動(dòng)控制爐體移動(dòng),等程序完成,爐體按設(shè)定的速度滑動(dòng),因有滑動(dòng)限位功能爐體不會(huì)發(fā)生碰撞,待樣品露出爐體后,通過風(fēng)冷系統(tǒng)快速降溫。

 

產(chǎn)品圖片:

 

 
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